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武鳴國標(biāo)南網(wǎng)電纜廠商

發(fā)布時(shí)間:2022-10-29 00:27:53
武鳴國標(biāo)南網(wǎng)電纜廠商

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礦物電纜結(jié)構(gòu):電纜導(dǎo)體:導(dǎo)體由高導(dǎo)電性的金屬銅制成。保溫層:采用耐高溫、不燃的無機(jī)礦物作為保溫材料。隔離層:采用無機(jī)礦物材料。外護(hù)套:低煙無毒塑料材料,具有良好的防腐性能。礦物電纜特性:非常靈活,結(jié)構(gòu)和普通電纜一樣,也和普通電纜一樣靈活。工藝結(jié)構(gòu)與普通電纜相同。理論生產(chǎn)長(zhǎng)度不受限制,可以生產(chǎn)固定長(zhǎng)度的電纜。安裝無接頭,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,提高了可靠性,降低了投入成本。多芯可生產(chǎn)300mm2,克服了單芯剛度超過25mm2的缺點(diǎn)。電纜可以重復(fù)使用。如果重建和調(diào)整了線路,則可以拆下電纜并重新使用。

武鳴國標(biāo)南網(wǎng)電纜廠商

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礦物電纜的連續(xù)工作溫度為250℃,可在950℃~1000℃連續(xù)供電3小時(shí)。它可以在短時(shí)間內(nèi)或很長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)工作到接近銅熔點(diǎn)(1083℃)。礦物絕緣電纜性能優(yōu)良,適用于額定電壓低于1000V的線路。用途:礦物電纜主要用于重要的電氣工程領(lǐng)域,如危險(xiǎn)場(chǎng)所、重要的公共設(shè)施、人身和財(cái)產(chǎn)安全場(chǎng)所等,通常用于機(jī)場(chǎng)、消防、高層建筑、圖書館、購物中心、醫(yī)院等。;礦物電纜可安裝放置一次,并一直使用。礦物電纜由高導(dǎo)電銅導(dǎo)線、礦物(氧化鎂)絕緣材料和無縫銅護(hù)套組成。當(dāng)電纜用于銅腐蝕的地方時(shí),zui外層會(huì)加一層防腐層。組。具有防火、防水、防爆、不燃、無煙、無毒、防火等優(yōu)點(diǎn)。

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電纜絕緣擊穿:指電纜的絕緣層因外力損壞、(擠壓、雷擊等),絕緣材料老化、等原因造成的原有絕緣性能被破壞,失去原有絕緣性能,發(fā)生運(yùn)行中電纜的芯線對(duì)芯線之間、芯線對(duì)電纜外護(hù)鋼帶及對(duì)地放電,造成接地、短路的故障。俗稱“擊穿”。造成電纜絕緣擊穿有以下幾種原因及處理方法:一是機(jī)械損傷。電纜被重物砸傷,挖掘機(jī)不慎砸傷電纜,電纜敷設(shè)時(shí)彎曲過大,絕緣層受傷。電纜在運(yùn)輸過程中受到嚴(yán)重?cái)D壓,絕緣和保護(hù)層損壞。直埋電纜由于底層下沉等原因承受過大的張力,都會(huì)導(dǎo)致絕緣損壞,甚至折斷電纜。架空電纜可用于避免對(duì)電纜造成機(jī)械損壞。電纜沿墻敷設(shè)時(shí),應(yīng)加以遮蓋,埋設(shè)時(shí)應(yīng)有明顯標(biāo)志,并及時(shí)停止在電纜線路附近取土。

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一般情況下,可采取以下措施防止電纜絕緣擊穿。(1)防止機(jī)械損壞。架空電纜,特別是沿墻壁敷設(shè)的電纜,應(yīng)加以覆蓋。對(duì)廠內(nèi)進(jìn)場(chǎng)工程,必須申請(qǐng)電力部門頒發(fā)的動(dòng)土許可證;對(duì)外部電纜線路,必須加強(qiáng)巡查,及時(shí)防止電纜線路附近的架空輸電線路和縫線挖土、取土。(2)提高電纜頭施工質(zhì)量。由于氣泡和水分對(duì)電纜頭絕緣的抗壓強(qiáng)度影響很大,在電纜頭的制作和安裝過程中,絕緣層應(yīng)包扎嚴(yán)密,不得出現(xiàn)縫隙;環(huán)氧樹脂和石英粉在使用前應(yīng)嚴(yán)格干燥。由于終端頭附近的電場(chǎng)分布非常不均勻,因此引線套管邊緣的電場(chǎng)強(qiáng)度zui大,必須加強(qiáng)絕緣。

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電場(chǎng)強(qiáng)度的影響:當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度在較低范圍內(nèi)時(shí),離子遷移率隨電場(chǎng)強(qiáng)度的增加而成比例增加。離子電流和電場(chǎng)強(qiáng)度遵循歐姆定律。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度較高時(shí),隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增加,離子遷移率逐漸由線性關(guān)系變?yōu)橹笖?shù)關(guān)系。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度接近擊穿時(shí),會(huì)發(fā)生大量的電子遷移,絕緣電阻大大降低。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各種電線電纜產(chǎn)品的耐壓試驗(yàn)電壓處于離子遷移率與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比增加的階段,不能反映電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)絕緣電阻率的影響。在對(duì)樣品進(jìn)行擊穿試驗(yàn)時(shí),電場(chǎng)對(duì)絕緣電阻的影響可以清楚地反映出來。